金融界2025年3月27日音讯，国家知识产权局信息数据显现，南亚科技股份有限公司请求一项名为“半导体元件的制备办法”的专利，揭露号 CN 119677096 A，请求日期为 2023年12月。

　　专利摘要显现，本揭露供给一种半导体元件的制备办法。该办法有供给一基板；构成一位元线于该基板上；构成一阻隔距离物于该位元线的一侧上，其间该阻隔距离物包含一气隙；构成一着陆垫于该位元线之上；以及进行一堆积工艺以构成一气隙维护结构，以掩盖该着陆垫和该气隙，其间该堆积工艺期间的一温度范围在约530℃和约570℃之间 。

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